瑞安市斯普達(dá)電鍍涂裝設(shè)備有限公司

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NBL 低溫等離子體廢氣凈化設(shè)備

                 全新工藝、專利技術(shù)

本工藝在電催化總的設(shè)計(jì)概念下，分三個(gè)即獨(dú)立又混成的激發(fā)系統(tǒng)：微波激發(fā)區(qū)、等離子激發(fā)區(qū)、極板激發(fā)去。每個(gè)激發(fā)區(qū)有它特定的功能，但在原理上有它相似的地方。 

1：微波激發(fā)區(qū) 

本工藝有2至8個(gè)微波激發(fā)單位，根據(jù)被處理風(fēng)量的不同數(shù)量不同，微波由于它的頻率相對(duì)比較高，在納秒的時(shí)間內(nèi)有效作用于被處理空間（區(qū)域），由于微波的功率相對(duì)較小，因此在激發(fā)能力上也就是說電子的獲能躍遷能力上有限，本設(shè)計(jì)只是把微波作為初頻激發(fā)源，在處理過程中作為一種預(yù)激發(fā)能。由于微波的預(yù)激功能，極大的提高等離子體區(qū)，極板區(qū)的激發(fā)能力和處理效果，由于微波技術(shù)的運(yùn)用，本工藝在同類設(shè)備的比較中顯得設(shè)備精煉而效果優(yōu)越。 

2：低溫等離子體激發(fā) 

本工藝有40支至240支充有特殊氣體的無極管組成的低溫等離子體激發(fā)區(qū)，低溫等離子體區(qū)是工藝的核心技術(shù)，國外諸多科研機(jī)構(gòu)室稱在常壓下實(shí)現(xiàn)低溫等離子體。從大量的試驗(yàn)分析，常壓低溫等離子體要在工業(yè)中應(yīng)用存在的困難仍舊很大，本工藝借助低氣壓的無極燈作為低溫等離子體的激發(fā)體，大限度地在無極管區(qū)實(shí)現(xiàn)低溫等離子體區(qū)，由于低溫等離子體在能量躍遷過程中具有極強(qiáng)的能量平衡性，在粒子撞擊中失能極少，所以低溫等離子體作為原子激發(fā)是理想的一種能。在實(shí)踐應(yīng)用中，大的科題在于低氣壓究竟帕？管內(nèi)充什么樣的氣體有經(jīng)濟(jì)價(jià)值？這沒有理論模型可言，只有通過實(shí)踐、實(shí)驗(yàn)、分析。 

3:極板區(qū) 

根據(jù)被處理氣體的流量，極板間的電壓分6KV-16KV，極板間加以足夠高的電壓，在引風(fēng)的作用下，極區(qū)由于負(fù)壓的作用，按照法拉第暗區(qū)理論、光致電離理論、自由離理論，在常壓或接近常壓的條件下有相當(dāng)概率的粒子可能實(shí)現(xiàn)低溫等離子體，廢氣由極板區(qū)間經(jīng)過，并且和極板平行，極大減少污染物在極板上的內(nèi)附，防止高壓引燃。 

根據(jù)三類的功能區(qū)，集中的目的是實(shí)現(xiàn)低溫等離子體，由于理論和實(shí)際使用條件上的區(qū)別，單一的方法獲得低溫等離子體，從功率上，外部條件上都存在差距。本工藝集三種技術(shù)與一體，經(jīng)山東、江蘇、浙江三地多家醫(yī)藥、化工企業(yè)的實(shí)地測(cè)試，原廢氣的去除率非常理想，根據(jù)尼普公司的測(cè)試，高濃度廢氣去除率可達(dá)84%以上。 

電催化氧化工藝集低溫等離子體、微波放電、極板放電與一體，在實(shí)際使用中實(shí)現(xiàn)廢氣的有效處理是極為復(fù)雜的過程，整個(gè)過程在不到1秒的時(shí)間內(nèi)完成。從理論到模型都能探究到相關(guān)的機(jī)理，通過三種方式的集中放電，廢氣分子從低能的E,在千分之一秒的時(shí)間內(nèi)躍遷到足以使其電離的Em級(jí)，廢氣分子鍵充分?jǐn)嗔眩谘┍朗降淖矒糁袛嗔押蟮牧Ｗ佑捎谫|(zhì)量更小，被進(jìn)一步躍遷，與反應(yīng)堆內(nèi)的氧離子氫氧根離子發(fā)生反應(yīng)，生成無害無味的CO2、H2O以及其它高價(jià)化合物。同時(shí)由于反應(yīng)堆內(nèi)臭氧以及紫外線的作用，徹底去除不同范疇的廢氣化合物，實(shí)地較為廣譜的去除空間。

系統(tǒng)由PLC+觸摸屏方式控制，裝配過流、過壓、漏電、光強(qiáng)度、溫差、壓差等控制和傳感器，保證設(shè)備自控的需要。 

 低溫等離子體去除污染物的機(jī)理：

  等離子體化學(xué)反應(yīng)過程中，等離子體傳遞化學(xué)能量的反應(yīng)過程中能量的傳遞大致如下：

    （1） 電場(chǎng)＋電子→高能電子

    （2） 高能電子＋分子（或原子）→（受激原子、受激基團(tuán)、游離基團(tuán)） 活性基團(tuán)

    （3） 活性基團(tuán)＋分子（原子）→生成物+熱

    （4） 活性基團(tuán)＋活性基團(tuán)→生成物+熱